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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0572317 (1995-12-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 72 인용 특허 : 9 |
A reliable interconnection pattern is formed by depositing first and second conductive layers, etching to form a conductive pattern in the first conductive layer and etching to form an interconnection comprising a portion of the second conductive layer. Advantageously, the need to form openings in d
A method of manufacturing a semiconductor device, which method comprises: depositing a plurality of sequential dielectric and conductive layers on a semiconductor substrate, each conductive layer comprising at least one conductive pattern; and forming an interconnection electrically connecting a con
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