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Kafe 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0754600 (1996-11-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 499 인용 특허 : 0 |
A technique for electrolessly depositing a CoWP barrier material on to copper and electrolessly depositing copper onto a CoWP barrier material to prevent copper diffusion when forming layers and/or structures on a semiconductor wafer.
A method of electrolessly depositing copper onto a barrier layer which separates said copper from another layer disposed on an opposite side of said barrier layer from said copper, comprising the steps of: depositing cobalt-tungsten-phosphide, CoWP, electrolessly on an exposed surface of said anothe
A method of electrolessly depositing copper onto a barrier layer which separates said copper from another layer disposed on an opposite side of said barrier layer from said copper, comprising the steps of: depositing cobalt-tungsten-phosphide, CoWP, electrolessly on an exposed surface of said another layer to form said barrier layer; depositing said copper electrolessly.
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