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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0416821 (1995-07-13) |
우선권정보 | RU-0041257 (1993-08-17); RU-0041348 (1993-08-17) |
국제출원번호 | PCT/RU94/00201 (1994-08-15) |
§371/§102 date | 19950713 (19950713) |
국제공개번호 | WO-9505495 (1995-02-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 7 |
A process for depositing silicon carbide layers to produce highly pure silicon carbide having a stoichiometric composition and a theoretical density includes feeding a gas mixture to a heated substrate under specified conditions, separating the decomposition products into gas and liquid phases by co
A process for producing silicon carbide layers by deposition from a gas phase, comprising feeding a gas-vapor mixture of methyl trichlorosilane and hydrogen into a reactor and decomposing the mixture on a heated substrate to form a silicon carbide layer on said substrate and decomposition products,
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