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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0785515 (1997-01-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 0 |
The present invention is directed to two embodiments of a process for recycling an impure argon effluent from a silicon crystal growing furnace using cryogenics. The first embodiment uses cryogenic distillation techniques, and the second embodiment uses cryogenic adsorption, both of which use cataly
[ We claim:] [1.] A process for the recovery and purification of impure argon containing residual dopants from a silicon crystal growth furnace using the steps of:(1) contacting the impure argon with a deoxygenation catalyst and hydrogen to remove any contained oxygen;(2) contacting the impure argon
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