[특허]Device for producing SiC single crystals

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[미국특허] Device for producing SiC single crystals 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C30B-035/00
출원번호	US-0530291 (1995-09-29)
우선권정보	DE-4310744 (1993-04-01)
국제출원번호	PCT/DE94/003 (1994-03-21)
§371/§102 date	19950929 (19950929)
국제공개번호	WO-9423096 (1994-10-13)
발명자 / 주소	Volkl Johannes,DEX Lanig Peter,DEX
출원인 / 주소	Siemens Aktiengesellschaft, DEX
대리인 / 주소	Kenyon & Kenyon
인용정보	피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 0

초록 ▼

SiC single crystals are produced in a reaction chamber, in which there is a seed crystal for the separation of a SiC single crystal from the gas phase. The reaction chamber is connected to a storage chamber, which is at least partly filled with a supply of SiC, by a gas channel with a predetermined cross-section for conveying the SiC in the gas phase. The supply of SiC is sublimated in a heating device and a temperature gradient is adjusted in the reaction chamber. It is, thus, possible to produce SiC single crystals with any desired cross-sectional area and of high crystalline quality and single-crystal yield, because the conveyance rate of the gas molecules can be precisely adjusted.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A device for producing single crystals from a solid SiC supply, including a seed crystal having a crystallization surface, wherein the device comprises:a) a reaction chamber, wherein the seed crystal is arranged for growing the single SiC crystal out of a gas phase;b) a supply chamber, which is at least partially filled with the supply of solid SiC;c) a homogenization chamber;d) a first gas channel connecting the homogenization chamber to the supply chamber;e) a second gas channel connecting the homogenization chamber to the reaction chamber; andf) at least one heating device for producing SiC in the gas phase from the SiC supply in the supply chamber, for controlling the temperature in the homogenization chamber, and for adjusting a temperature distribution in the reaction chamber.

이 특허를 인용한 특허 (14) 인용/피인용 타임라인 분석

John Tomlinson Mullins GB, Apparatus and process for crystal growth.
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Kato Hiroyuki,JPX, Crystal growth method and apparatus.
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Zwieback, Ilya; Anderson, Thomas E.; Souzis, Andrew E.; Ruland, Gary E.; Gupta, Avinash K.; Rengarajan, Varatharajan; Wu, Ping; Xu, Xueping, Large diameter, high quality SiC single crystals, method and apparatus.
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Hara,Kazukuni; Nagakubo,Masao; Onda,Shoichi, Manufacturing method for producing silicon carbide crystal using source gases.
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Hara, Kazukuni; Nagakubo, Masao; Onda, Shoichi, Manufacturing method for producing silicon carbide crystal using source gases and apparatus for the same.
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Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki, Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal.
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Kondo, Hiroyuki; Oguri, Emi; Hirose, Fusao; Nakamura, Daisuke; Okamoto, Atsuto; Sugiyama, Naohiro, Method and apparatus for producing single crystal, substrate for growing single crystal and method for heating single crystal.
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Hiromu Shiomi JP; Shigehiro Nishino JP, Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal.
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Shiomi Hiromu,JPX ; Nishino Shigehiro,JPX, Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal.
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Mueller, Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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