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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0780584 (1997-01-08) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 1 |
A neutron radiation detector is described. A semiconductor material is populated with helium three (.sup.3 He) atoms to increase its overall neutron capture efficiency. Upon capture of a neutron by a .sup.3 He atom, a tritium ion and a proton are generated with energies of 0.191 and 0.573 MeV, respe
[ The claims of the invention are:] [1.] A neutron radiation detector based on semiconductor material populated with .sup.3 He in such away that:the semiconductor material is uniformly populated with .sup.3 He throughout its body in order to make neutron detection possible with efficiencies of up to
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