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[미국특허] Method for the growth of industrial crystals 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-025/06
출원번호 US-0821484 (1997-03-21)
발명자 / 주소
  • Vichr Miroslav
  • Hoover David Samuel
출원인 / 주소
  • Air Products and Chemicals, Inc.
대리인 / 주소
    Gourley
인용정보 피인용 횟수 : 29  인용 특허 : 0

초록 ▼

A method is disclosed for producing large single crystals. According to the initial steps of this method, a plurality of single crystal wafers are crystallographically oriented to form a seed plate which is patterned. The patterned seed plate is selectively etched to expose the bare surface of the s

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A method for preparing seed plates for single crystal growth comprising:(a) depositing onto a seed plate, comprising a plurality of crystallographically oriented single crystal wafers, a masking layer including a geometric pattern in the masking layer;(b) selectively etch

이 특허를 인용한 특허 (29) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Noguchi, Hitoshi, Base material for forming single crystal diamond film and method for producing single crystal diamond using the same.
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  2. Marr, David W. M.; Gong, Tieying; Wu, David, Colloidal crystallization via applied fields.
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  3. Meguro, Kiichi; Yamamoto, Yoshiyuki; Imai, Takahiro, Diamond single crystal substrate manufacturing method.
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  4. Meguro,Kiichi; Yamamoto,Yoshiyuki; Imai,Takahiro, Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate.
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  5. Sawetzki, Tobias; Marr, David W. M.; Eggleton, Charles; Desai, Sanjay, Dynamic viscoelasticity as a rapid single-cell biomarker.
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  6. Squier, Jeff; Marr, David W. M.; Applegate, Robert; Vestad, Tor, Fiber-focused diode-bar optical trapping for microfluidic manipulation.
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  7. Joly, Jean-Pierre; Ulmer, Laurent; Parat, Guy, Integrated circuit on high performance chip.
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  8. Neudeck, Philip G.; Powell, J. Anthony, Lateral movement of screw dislocations during homoepitaxial growth and devices yielded therefrom free of the detrimental effects of screw dislocations.
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  9. Fournel, Franck; Moriceau, Hubert; Lagahe, Christelle, Method for making a stressed structure designed to be dissociated.
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  10. Deguet, Chrystel; Clavelier, Laurent, Method for making a thin-film element.
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  11. Tauzin, Aurélie; Dechamp, Jérôme; Mazen, Frédéric; Madeira, Florence, Method for preparing thin GaN layers by implantation and recycling of a starting substrate.
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  12. Nguyen, Nguyet-Phuong; Cayrefourcq, Ian; Lagahe-Blanchard, Christelle; Bourdelle, Konstantin; Tauzin, Aurélie; Fournel, Franck, Method for self-supported transfer of a fine layer by pulsation after implantation or co-implantation.
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  13. Deguet, Chrystel; Clavelier, Laurent; Dechamp, Jerome, Method of transferring a thin film onto a support.
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  14. Fournel, Franck, Method of transferring a thin layer onto a target substrate having a coefficient of thermal expansion different from that of the thin layer.
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  15. Stoddard, Nathan G., Methods and apparatus for manufacturing monocrystalline cast silicon and monocrystalline cast silicon bodies for photovoltaics.
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  16. Stoddard, Nathan G.; Clark, Roger F., Methods and apparatuses for manufacturing cast silicon from seed crystals.
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  17. Stoddard, Nathan G., Methods and apparatuses for manufacturing geometric multicrystalline cast silicon and geometric multicrystalline cast silicon bodies for photovoltaics.
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  18. Stoddard, Nathan G., Methods and apparatuses for manufacturing monocrystalline cast silicon and monocrystalline cast silicon bodies for photovoltaics.
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  19. Stoddard, Nathan G., Methods for manufacturing geometric multi-crystalline cast materials.
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  20. Stoddard, Nathan G., Methods for manufacturing monocrystalline or near-monocrystalline cast materials.
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  21. Mueller, Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  22. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  23. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  24. Neeves, Keith B.; Marr, David W. M.; Roth, Kevin B.; Eggleton, Charles D., Optical alignment deformation spectroscopy.
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  25. Moriceau, Hubert; Bruel, Michel; Aspar, Bernard; Maleville, Christophe, Process for the transfer of a thin film comprising an inclusion creation step.
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  26. Scarsbrook, Geoffrey Alan; Martineau, Philip Maurice; Twitchen, Daniel James, Single crystal diamond.
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  27. Scarsbrook, Geoffrey Alan; Martineau, Philip Maurice; Twitchen, Daniel James, Single crystal diamond.
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  28. Meguro, Kiichi; Yamamoto, Yoshiyuki; Imai, Takahiro, Single crystalline diamond and producing method thereof.
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  29. Han, Chang Suk; Kim, Hwa Mok; Ko, Mi So; Lee, A Ram Cha; Suh, Daewoong, Substrate regeneration method and regenerated substrate.
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