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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0516614 (1995-08-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 64 인용 특허 : 0 |
A process for forming an integrated circuit structure is described wherein individual integrated circuit devices such as MOS or bipolar transistors are constructed on and in a semiconductor substrate and one or more layers of metal interconnects are constructed on and in a second substrate, preferab
[ Having thus described the invention what is claimed is:] [1.] A process for forming an integrated circuit structure comprising a plurality of individual integrated circuit devices constructed on and in a first semiconductor substrate and at least one layer of metal interconnects constructed on and
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