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특허 상세정보

In situ reactive layers for protection of ferroelectric integrated circuits

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-029/76    H01L-027/108   
미국특허분류(USC) 257/295 ; 257/297 ; 257/506
출원번호 US-0656496 (1996-05-31)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Lachman
인용정보 피인용 횟수 : 18  인용 특허 : 2
초록

A layer of sacrificial, chemically reactive material is formed as part of the fabrication process of an integrated circuit, and covers active circuitry to protect it from reaction with hydrogen. Integrated circuits and fabrication methods are provided by the present invention. The present invention is used to fabricate integrated circuits such as ferroelectric memories, and the like, using die or substrates containing one or more sacrificial layers of strontium bismuth niobate tantalate, for example. The sacrificial layers consume atmospheric hydrogen or...

대표
청구항

[ What is claimed is:] [1.] A method of protecting an integrated circuit containing ferroelectric materials from reaction with hydrogen, said method comprising the steps of:providing a substrate;fabricating active circuitry on the substrate wherein the active circuitry contains ferroelectric materials;covering the active circuitry with a sacrificial continuous layer of material that reacts with and is consumed by hydrogen whereby the hydrogen is prevented from reacting with the ferroelectric materials of the active circuitry.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 18

  1. Evans ; Jr. Joseph T.. Ferroelectric based memory devices utilizing hydrogen getters and recovery annealing. USP2000096121648.
  2. Ramer,Orville G.; Billette,Stuart C.. Ferroelectric capacitor circuit for sensing hydrogen gas. USP2008037345331.
  3. Hayashi, Shinichiro; Otsuki, Tatsuo; Paz de Araujo, Carlos A.. Ferroelectric device with capping layer and method of making same. USP2003046541806.
  4. Hayashi, Shinichiro; Otsuki, Tatsuo; Paz de Araujo, Carlos A.. Ferroelectric device with capping layer and method of making same. USP2003116653156.
  5. Uchida Hiroto ; Soyama Nobuyuki ; Ogi Katsumi,JPX ; Scott Michael C.,AUX ; Cuchiaro Joseph D. ; McMillan Larry D. ; Paz de Araujo Carlos A.. Ferroelectric/high dielectric constant integrated circuit and method of fabricating same. USP2000046051858.
  6. Bedinger, John M.; Fuller, Clyde R.. Hydrogen gettering system. USP2005106958260.
  7. Bedinger, John M.; Fuller, Clyde R.. Hydrogen gettering system. USP2004016673400.
  8. Dougherty Thomas K. ; Ramer O. Glenn ; Dyer Venita L.. Hydrogen getters and methods for fabricating sealed microelectronic packages employing same. USP2001036203869.
  9. Amiotti, Marco; Jung, Jae Hak; Boffito, Claudio. Integrated capacitive device with hydrogen degradable dielectric layer protected by getter layer. USP2004076762446.
  10. Tanaka, Hideaki; Hoshi, Masakatsu; Hayashi, Tetsuya; Yamagami, Shigeharu. Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom. USP2010107807534.
  11. Kim Dae-sig,KRX ; Chung Il-sub,KRX. Method of manufacturing ferroelectric memory. USP2000066080593.
  12. Kang Eung Youl,KRX. Methods of forming ferroelectric capacitors having a diffusion barrier layer. USP2001026184927.
  13. Nagai, Kouichi; Sato, Katsuhiro; Sugawara, Kaoru; Takahashi, Makoto; Kudou, Masahito; Asai, Kazuhiro; Miyazaki, Yukimasa; Saigoh, Kaoru. Semiconductor device and method of fabricating the same. USP2011077982254.
  14. Amiotti, Marco. Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices. USP201306RE44255.
  15. Amiotti, Marco. Support with integrated deposit of gas absorbing material for manufacturing microelectronic microoptoelectronic or micromechanical devices. USP2012018105860.
  16. Amiotti, Marco. Support with integrated deposit of gas absorbing material for manufacturing microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices. USP2012068193623.
  17. Amiotti,Marco. Support with integrated deposit of gas absorbing material for manufacturing microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices. USP2007027180163.
  18. Amiotti, Marco. Wafer structure with discrete gettering material. USP2010107808091.