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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0781700 (1997-01-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 5 |
In a power integrated device having temperature monitoring circuits powered from input signal pulses, an overtemperature signal is memorized in a small capacitor (30 picofarads) to guarantee that the overtemperature signal will not be lost between two input pulses at a frequency greater than about 1
[ What is claimed is:] [1.] A MOSgated power integrated circuit device comprising: a MOSgated power device having output electrodes and an input gate electrode; an input signal circuit for supplying a high frequency signal to said gate electrode to turn said power device on and off at high frequency
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