[특허]Heater for CVD apparatus

Heater for CVD apparatus 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-016/00
출원번호	US-0634873 (1996-04-19)
우선권정보	JP-0129207 (1995-04-28)
발명자 / 주소	Mizuno Shigeru,JPX Watanabe Kazuhito,JPX Yoshimura Takanori,JPX Takahashi Nobuyuki,JPX
출원인 / 주소	Anelva Corporation, JPX
대리인 / 주소	Oliff & Berridge, PLC
인용정보	피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 0

초록 ▼

A heater is used in a CVD apparatus. In the CVD apparatus, reactive gas is supplied through a reactive gas supply plate to a substrate on a substrate holder to deposit a film on the substrate, and a purge gas supply passage is formed by placing a shield mechanism around the substrate holder, the shield mechanism including a ring plate disposed close to the outer periphery of the substrate. During film deposition, purge gas supplied through the purge gas supply passage is blown off from a clearance between the substrate and the ring plate, thereby preventing a film from being deposited on the rear surface of the substrate or the like. A heating element is arranged in a space in the purge gas supply passage close to but not contacting the substrate holder. The heating element is preferably a ceramic heater.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A heater for a CVD apparatus, said CVD apparatus comprising a substrate holder provided in a reactor on which a substrate is placed, a reactive gas supply means for supplying reactive gas to said substrate to deposit a film thereon, a shield mechanism in the reactor provided around said substrate holder to form a purge gas supply passage, said shield mechanism including a ring plate disposed close to the outer periphery of said substrate, whereby purge gas supplied through said purge gas supply passage is blown off from a clearance between said substrate and said ring plate during depositing said film, whereina heating element for heating said substrate holder so as to indirectly heat said substrate is disposed in said purge gas supply passage close to but not contacting said substrate holder.

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