최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0581185 (1995-12-29) |
발명자 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 29 인용 특허 : 10 |
In microlithographic systems, adaptedfor economical production of microchips with exceptionally small critical dimensions without exposure of the chip to potentially damaging radiation, wherein a beam of light is focused to a spot in photoresist layer excite a photoactive molecule in the spot, the e
[ I claim:] [1.] In apparatus adapted for photolithography for irradiating a selected region of a radiationally sensitive layer containing a radiationally excitable species, members of said species being adapted, within a brief interval after becoming so excited, to produce a change in at least one
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.