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Low imprint ferroelectric material for long retention memory and method of making the same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G11C-011/22
출원번호 US-0810190 (1997-03-03)
발명자 / 주소
  • Cuchiaro Joseph D.
  • Solayappan Narayan
  • Paz de Araujo Carlos A.
  • McMillan Larry D.
출원인 / 주소
  • Symetrix Corporation
대리인 / 주소
    Duft, Graziano & Forest, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 22  인용 특허 : 10

초록 ▼

Thin film ferroelectric materials for use in integrated memory circuits, such as FERAMS and the like, contain strontium bismuth niobium tantalate having an empirical formula SrBi.sub.2+E (Nb.sub.X Ta.sub.2-X)O.sub.9+3E/2, wherein E is a number representing an excess amount of bismuth ranging from ze

대표청구항 ▼

[ We claim:] [1.] In an electronic device having a thin film ferroelectric material, the improvement wherein said thin film ferroelectric material comprises:strontium bismuth niobium tantalate having an empirical formula EQU SrBi.sub.2+E (Nb.sub.X Ta.sub.2-X)O.sub.9+3E/2,wherein E is a number repres

이 특허에 인용된 특허 (10)

  1. Azuma Masamichi ; Paz De Araujo Carlos A. ; Cuchiaro Joseph D., Bottom electrode structure for dielectric capacitors.
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  2. Verhaeghe Donald J. (Colorado Springs CO) Traynor Steven D. (Colorado Springs CO), Circuit and method for reducing a compensation of a ferroelectric capacitor by multiple pulsing of the plate line follow.
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  3. Paz de Araujo Carlos A. (Colorado Springs CO) Cuchiaro Joseph D. (Colorado Springs CO) Scott Michael C. (Colorado Springs CO) McMillan Larry D. (Colorado Springs CO), Ferroelectric dielectric memory cell can switch at least giga cycles and has low fatigue - has high dielectric constant.
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  4. Takeuchi Kan (Kodaira JPX) Horiguchi Masashi (Kawasaki JPX) Aoki Masakazu (Tokorozawa JPX) Matsuno Katsumi (Kokubunji JPX) Sakata Takeshi (Kunitachi JPX) Etoh Jun (Hachioji JPX) Nakagome Yoshinobu (H, Ferroelectric memory.
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  5. Koike Hiroki (Tokyo JPX), Ferroelectric random-access memory.
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  6. Desu Seshu B. (Blacksburg VA) Tao W. (Blacksburg VA), Metalorganic chemical vapor deposition of layered structure oxides.
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  7. Desu Seshu B. (Blacksburg VA) Tao Wei (Blacksburg VA) Peng Chien H. (Blacksburg VA) Li Tingkai (Blacksburg VA) Zhu Yongfei (Blacksburg VA), Metalorganic chemical vapor deposition of layered structure oxides.
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  8. Omura Masayoshi (Saitama JPX), Nondestructive readout-type ferroelectric memory device having twisted hysteresis.
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  9. Nishimura Kiyoshi (Kyoto JPX) Hayashi Hideki (Kyoto JPX) Muramoto Jun (Kyoto JPX) Fuchikami Takaaki (Kyoto JPX) Uenoyama Hiromi (Kyoto JPX), Nonvolatile memory.
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  10. Rohrer George A. (Sault St. Marie MI), Process for stable phase III potassium nitrate and articles prepared therefrom.
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이 특허를 인용한 특허 (22)

  1. Duncombe Peter Richard ; Laibowitz Robert Benjamin ; Neumayer Deborah Ann ; Shaw Thomas McCarroll, Amorphous dielectric capacitors on silicon.
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  2. Dougherty T. Kirk ; Drab John J. ; Ramer O. Glenn, Environmentally benign bismuth-containing spin-on precursor materials.
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  3. Black, Charles Thomas; Cabral, Jr., Cyril; Grill, Alfred; Neumayer, Deborah Ann; Pricer, Wilbur David; Saenger, Katherine Lynn; Shaw, Thomas McCarroll, Feram cell with internal oxygen source and method of oxygen release.
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  4. Charles Thomas Black ; Cyril Cabral, Jr. ; Alfred Grill ; Deborah Ann Neumayer ; Wilbur David Pricer ; Katherine Lynn Saenger ; Thomas McCarroll Shaw, Feram cell with internal oxygen source and method of oxygen release.
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  5. Paz de Araujo, Carlos A.; McMillan, Larry D.; Joshi, Vikram; Solayappan, Narayan; Cuchiaro, Joseph D., Ferroelectric and high dielectric constant transistors.
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  6. Myoungho Lim ; Vikram Joshi ; Narayan Solayappan ; Larry D. McMillan ; Carlos A. Paz de Araujo, Ferroelectric device with bismuth tantalate capping layer and method of making same.
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  7. Hayashi, Shinichiro; Otsuki, Tatsuo; Paz de Araujo, Carlos A., Ferroelectric device with capping layer and method of making same.
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  8. Hayashi, Shinichiro; Otsuki, Tatsuo; Paz de Araujo, Carlos A., Ferroelectric device with capping layer and method of making same.
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  9. Cuchiaro Joseph D. ; Furuya Akira,JPX ; Paz de Araujo Carlos A. ; Miyasaka Yoichi,JPX, Ferroelectric integrated circuit having low sensitivity to hydrogen exposure and method for fabricating same.
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  10. Cuchiaro, Joseph D.; Furuya, Akira; Paz de Araujo, Carlos A.; Miyasaka, Yoichi, Ferroelectric integrated circuit having low sensitivity to hydrogen exposure and method for fabricating same.
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  11. Cuchiaro Joseph D. ; Furuya Akira,JPX ; Paz de Araujo Carlos A. ; Miyasaka Yoichi,JPX, Ferroelectric integrated circuit with protective layer incorporating oxygen and method for fabricating same.
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  12. Kiyoshi Uchiyama, Integrated circuit device including a layered superlattice material with an interface buffer layer.
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  13. Arita Koji ; Hayashi Shinichiro,JPX ; Cuchiaro Joseph D. ; Paz de Araujo Carlos A., Low imprint ferroelectric material for long retention memory and method of making the same.
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  14. Koji Arita ; Shinichiro Hayashi JP; Joseph D. Cuchiaro ; Carlos A. Paz de Araujo, Low imprint ferroelectric material for long retention memory and method of making the same.
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  15. Cuchiaro Joseph D. ; Furuya Akira,JPX ; Paz de Araujo Carlos A. ; Miyasaka Yoichi,JPX, Method for fabricating ferroelectric integrated circuits.
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  16. Cuchiaro Joseph D. ; Furuya Akira,JPX ; Paz de Araujo Carlos A. ; Miyasaka Yoichi,JPX, Method of fabricating ferroelectric integrated circuit using dry and wet etching.
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  17. Cuchiaro Joseph D. ; Furuya Akira,JPX ; Paz de Araujo Carlos A. ; Miyasaka Yoichi,JPX, Method of fabricating ferroelectric integrated circuit using oxygen to inhibit and repair hydrogen degradation.
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  18. Tran, Ziep; Mori, Kiyoshi; Dao, Giang Trung; Ramon, Michael Edward, Method of forming a stacked low temperature transistor and related devices.
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  19. Tran, Ziep; Mori, Kiyoshi; Dao, Giang Trung; Ramon, Michael Edward, Method of forming a stacked low temperature transistor and related devices.
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  20. Hase Takashi,JPX, Method of producing a bismuth layer structured ferroelectric thin film.
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  21. Nishimura Kiyoshi,JPX, Semiconductor memory device and method of controlling imprint condition thereof.
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  22. Dougherty, T. Kirk; Drab, John J., Temperature-compensated ferroelectric capacitor device, and its fabrication.
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