최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0823668 (1997-03-24) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 38 인용 특허 : 10 |
Crack stops for substantially preventing cracks and chips produced along the dicing channel from spreading into the active areas of the ICs are described. The crack stops are formed by creating discontinuities in the thickness of the dielectric layer in the dicing channel near the chip edges. The di
[ What is claimed is:] [1.] In the fabrication of integrated circuits, a method for forming crack stops that reduce propagation of cracks, the method comprising the acts of:providing a semiconductor wafer comprising integrated circuits fabricated thereon, wherein the integrated circuits are separate
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.