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Bismuth layered structure pyroelectric detectors 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G01J-005/12
출원번호 US-0540533 (1995-10-10)
발명자 / 주소
  • Ramer O. Glenn
  • Robinson David A.
  • Drab John J.
출원인 / 주소
  • Raytheon Company
대리인 / 주소
    Schubert
인용정보 피인용 횟수 : 7  인용 특허 : 3

초록

This invention teaches a method for fabricating an array (1) of pyroelectric detectors (10), and further teaches an array (1) of pyroelectric detectors (10) that include a bismuth layered compound. The array has a substrate (12) and a plurality of pyroelectric detector sites disposed over a surface

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] A pyroelectric detector, comprising:a first electrode;a second electrode; anda layer comprised of a bismuth layered compound that is interposed between and electrically coupled to said first and second electrodes, wherein said layer is comprised of SrBi.sub.2 Nb.sub.2-x T

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. Desu Seshu B. (Blacksburg VA) Tao W. (Blacksburg VA), Metalorganic chemical vapor deposition of layered structure oxides.
  2. Dautriche Pierre (Claix FRX), Monolithic infrared detector with pyroelectric material.
  3. Oka Syotaro (Muko JPX) Kita Junichi (Kyoto JPX) Kuyama Hiroki (Kyoto JPX) Kiri Motosada (Kyoto JPX), Thermal detectors and process for manufacturing the same.

이 특허를 인용한 특허 (7)

  1. Wang, Joseph, Bismuth-based electrochemical stripping analysis.
  2. Ramer,Orville G.; Billette,Stuart C., Ferroelectric capacitor circuit for sensing hydrogen gas.
  3. Steven Tidrow ; Meimei Tidrow, Ferroelectric/pyroelectric infrared detector with a colossal magneto-resistive electrode material and rock salt structure as a removable substrate.
  4. Kumar, Santosh, Non-decaying electric power generation from pyroelectric materials.
  5. Hirano Hiroshige,JPX ; Takeo Masato,JPX, Semiconductor device.
  6. Hiroshige Hirano JP; Masato Takeo JP, Semiconductor device.
  7. Beratan Howard R. ; Hanson Charles M., Thermal detector with stress-aligned thermally sensitive element and method.
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