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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0255701 (1994-06-07) |
우선권정보 | JP-0166115 (1993-06-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 103 인용 특허 : 0 |
One kind or plural kinds of elements selected from a groups III, IV or V elements are introduced in an amorphous silicon film, and then crystallized by heating at 600.degree. C. or less. The crystallization develops from a region where the element has been introduced in a direction parallel to a sub
[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor device having a semiconductor layer comprising silicon as an active region thereof, wherein said semiconductor layer has a crystalline structure and is doped with a crystallization promoting material at least partly, said material selected from the group c
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