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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0804864 (1997-02-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 218 인용 특허 : 6 |
A memory array using structure changing memory elements in a reverse biased diode array is disclosed. A memory cell is programmed and read by reverse biasing the diode to overcome the diode's breakdown voltage. The disclosed reversed biased diode array exhibits much less substrate current leakage th
[ What is claimed is:] [1.] A memory cell for use in an integrated circuit memory device, said memory cell comprising:a memory element; anda diode having a breakdown voltage and being coupled to said memory element, said memory element being programmable in response to a programming voltage having a
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