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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0959106 (1997-10-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 73 인용 특허 : 0 |
A multilevel interconnect structure is provided. The multilevel interconnect structure includes at least three levels of interconnect (conductors) formed according to one exemplary embodiment. Two of the three levels of conductors are staggered from each other in separate vertical and horizontal pla
[ What is claimed is:] [1.] A method for forming a multilevel interconnect structure, comprising:forming at least two first conductors spaced across a semiconductor topography;depositing a first dielectric upon said first conductors;forming an etch stop upon a portion of said first dielectric;deposi
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