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Aluminum nitride substrate and process for preparation thereof 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • L04B-041/87
출원번호 US-0597349 (1996-02-06)
우선권정보 JP-0061780 (1990-03-13)
발명자 / 주소
  • Ohkawa Yoshihiro,JPX
  • Ikeda Makoto,JPX
  • Miyahara Kenichiro,JPX
  • Itoh Yoshiaki,JPX
출원인 / 주소
  • Kyocera Corporation, JPX
대리인 / 주소
    Loeb & Loeb LLP
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 15

초록

An aluminum nitride substrate composed of a sintered body base material composed mainly of aluminum nitride and an aluminum oxide layer formed on the surface of the base material, wherein at least one of the base material and the aluminum oxide layer contains at least one member selected from the gr

대표청구항

[ We claim:] [1.] An aluminum nitride substrate comprising a sintered body base material comprising aluminum nitride, an aluminum oxide layer formed on the surface of the base material, and a metal conductor layer formed on the aluminum oxide layer, wherein said base material is composed of a sinter

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Horiguchi Akihiro (Yokohama JPX) Ueno Fumio (Kawasaki JPX) Kasori Mitsuo (Kawasaki JPX) Sato Yoshiko (Tokyo JPX) Hayashi Masaru (Yokohama JPX) Endo Hiroshi (Yokohama JPX) Shinozaki Kazuo (Tokyo JPX) , AlN sintered body having high thermal conductivity and a method of fabricating the same.
  2. Sato Hideki (Yokohama JPX) Mizunoya Nobuyuki (Yokohama JPX), Aluminum nitride circuit substrate.
  3. Iyori Yusuke (Fukaya JPX) Fukushima Hideko (Kumagaya JPX), Aluminum nitride sintered body and semiconductor substrate thereof.
  4. Horiguchi Akihiro (Yokohama JPX) Kasori Mituo (Kawasaki JPX) Ueno Fumio (Kawasaki JPX) Sato Hideki (Yokohama JPX) Mizunoya Nobuyuki (Yokohama JPX) Endo Mitsuyoshi (Yamato JPX) Tanaka Shun-ichiro (Yok, Aluminum nitride sintered body having conductive metallized layer.
  5. Kuratani Shusei (Nagoya JPX) Uno Kohichi (Nagoya JPX) Mizuno Shinya (Seto JPX) Sakuramoto Hisashi (Nagoya JPX) Nishiyama Satoshi (Nagoya JPX), Black sintered body of aluminum nitride and process for producing the same.
  6. Iwase Nobuo (Kamakura JPX) Anzai Kazuo (Tokyo JPX) Shinozaki Kazuo (Inagi JPX) Tsuge Akihiko (Yokohama JPX) Saitoh Kazutaka (Kawasaki JPX) Iyogi Kiyoshi (Tokyo JPX) Sato Noboru (Yokohama JPX) Kasori , Circuit substrate having high thermal conductivity.
  7. Aldinger Fritz (Rodenbach DEX) Keilberth Richard (Kleinheubach DEX) Werdecker Waltraud (Hanau DEX), Combination of AlN-Y2O3 heat conductive ceramic substrate and electronic component.
  8. Kuramoto Nobuyuki (Sagamihara JPX) Takada Kazuya (Tokyo JPX) Numata Yoshihiko (Fujisawa JPX), Composite nitride sintered body.
  9. Holleran Louis M. (Big Flats NY) Merkel Gregory A. (Painted Post NY) Paisley Robert J. (Corning NY) Wexell Kathleen A. (Corning NY), Composite substrate for integrated circuits.
  10. SinghDeo Narendra N. (New Haven CT) Mahulikar Deepak (Meriden CT) Butt Sheldon H. (Godfrey IL), Electronic packaging of components incorporating a ceramic-glass-metal composite.
  11. Fujinaka Hiroshi (Kokubu JPX) Terasawa Masami (Kokubu JPX), Glazed ceramic substrate.
  12. Yamakawa Akira (Hyogo JPX) Miyake Masaya (Hyogo JPX) Sakanoue Hitoyuki (Hyogo JPX) Takeuchi Hisao (Hyogo JPX) Sogabe Koichi (Hyogo JPX) Sasame Akira (Hyogo JPX), Heat-conductive aluminum nitride sintered body and method of manufacturing the same.
  13. Werdecker Waltraud (Hanau DEX) Brunner Dieter (GroBostheim DEX) Kutzner Martin (Neuberg DEX), Method for producing sintered metalized aluminum nitride ceramic bodies.
  14. Mizuno Shinya (Seto JPX) Kuratani Shusei (Nagoya JPX) Uno Kohichi (Nagoya JPX) Sakuramoto Hisashi (Nagoya JPX) Nishiyama Satoshi (Nagoya JPX), Sintered body of aluminum nitride.
  15. Iio Satoshi (Nagoya JPX) Okuno Akiyasu (Nagoya JPX), Surface structure of AlN substrate and a process for producing the same.

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. Cabot, Timothy P.; Tetrault, John J.; Sung, Dong-Jin, Microcrystalline anodic coatings and related methods therefor.
  2. Cabot, Timothy P.; Tetrault, John J.; Sung, Dong-Jin, Sealed anodic coatings.

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