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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0430312 (1995-04-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 100 인용 특허 : 7 |
Low temperature wafer bonding using a chemically reacting material between wafers to form a bonded zone to bond two wafers together. Examples include silicon wafers with a silicon-oxidizing bonding liquid which also permits introduction of radiation hardening dopants and electrically active dopants
[ What is claimed is:] [1.] A method of wafer bonding, comprising the steps of:providing a device wafer with a first surface layer made of a first material;providing a handle wafer with a second surface layer made of a second material said second material being different from said first material and
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