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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0769436 (1996-12-19) |
우선권정보 | KR-0054723 (1995-12-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 2 |
A voltage boosting circuit for a semiconductor memory device provides good set-up characteristics and reduces excessive voltage levels by utilizing a first precharge circuit during a first time interval after power is applied and second precharge circuit during a second time interval. The circuit in
[ What is claimed is:] [1.] A voltage boosting circuit for a semiconductor memory device comprising:voltage boosting means for receiving a first supply voltage and outputting a boosted voltage higher than said first supply voltage;first precharge means for receiving said first supply voltage and pre
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