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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0588948 (1996-01-19) |
우선권정보 | KR-0035381 (1995-10-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 4 |
A bi-directional high-voltage RESURF EDMOS (REduced SURface Extended Drain MOS) transistor which can endure a high voltage at its source by providing drift regions at both sides, i.e., the source and drain of the conventional RESURF LDMOS (Lateral DMOS) transistor, and exchanging the drain and the s
[ What is claimed is:] [1.] A multiplexer array circuit responsive to a plurality of clock signals, comprising:a multiplexer array unit having a plurality of array multiplexer circuits, each array multiplexer circuit coupled to a first source line for receiving a first predetermined voltage and a co
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