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[미국특허] Method of growing 4H silicon carbide crystal 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/100
출원번호 US-0850257 (1997-05-05)
발명자 / 주소
  • Hopkins Richard H.
  • Augustine Godfrey
  • Hobgood H. McDonald
출원인 / 주소
  • Northrop Grumman Corporation
대리인 / 주소
    Sutcliff
인용정보 피인용 횟수 : 21  인용 특허 : 1

초록

A method of growing 4-H polytype silicon carbide crystals in a physical vapor transport system where the surface temperature of the crystal is maintained at less than about 2160.degree. C. and the pressure inside the PVT system is decreased to compensate for the lower growth temperature.

대표청구항 ▼

[ What I claim is:] [1.] A method of growing a 4-H polytype silicon carbide crystal comprising the steps of:a) providing a physical vapor transport growth chamber having a silicon carbide source material and a silicon carbide seed on a seed holder where the growth chamber is filled with a gas ambien

이 특허에 인용된 특허 (1) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Davis Robert F. (Raleigh NC) Carter ; Jr. Calvin H. (Raleigh NC) Hunter Charles E. (Durham NC), Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide.
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이 특허를 인용한 특허 (21) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Snyder, David W.; Everson, William J., Axial gradient transport apparatus and process.
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  2. Kordina, Olof Claes Erik; Rao, Shailaja, Crystal growth method and reactor design.
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  3. Snyder, David W.; Everson, William J., Large size single crystal seed crystal fabrication by intergrowth of tiled seed crystals.
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  4. Powell, Adrian; Brady, Mark; Mueller, Stephan G.; Tsvetkov, Valeri F.; Leonard, Robert T., Low 1C screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer.
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  5. Kordina, Olle Claes Erik; Paisley, Michael James, Method and apparatus for growing silicon carbide crystals.
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  6. Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki, Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal.
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  7. Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki, Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal.
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  8. Jenny, Jason Ronald; Malta, David Phillip; Hobgood, Hudson McDonald; Mueller, Stephan; Tsvetkov, Valeri F., Method for producing semi-insulating resistivity in high purity silicon carbide crystals.
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  9. Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F., Method of producing high quality silicon carbide crystal in a seeded growth system.
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  10. Mueller, Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  11. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  12. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  13. Basceri, Cem; Khlebnikov, Yuri; Khlebnikov, Igor; Balkas, Cengiz; Silan, Murat N.; Hobgood, Hudson McD.; Carter, Jr., Calvin H.; Balakrishna, Vijay; Leonard, Robert T.; Powell, Adrian R.; Tsvetkov, Valeri T.; Jenny, Jason R., Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture.
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  14. Basceri, Cem; Khlebnikov, Yuri; Khlebnikov, Igor; Balkas, Cengiz; Silan, Murat N.; Hobgood, Hudson McD.; Carter, Jr., Calvin H.; Balakrishna, Vijay; Leonard, Robert T.; Powell, Adrian R.; Tsvetkov, Valeri T.; Jenny, Jason R., Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture.
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  15. Nakabayashi, Masashi; Fujimoto, Tatsuo; Sawamura, Mitsuru; Ohtani, Noboru, Monocrystalline silicon carbide ingot, monocrystalline silicon carbide wafer and method of manufacturing the same.
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  16. Nakabayashi, Masashi; Fujimoto, Tatsuo; Sawamura, Mitsuru; Ohtani, Noboru, Monocrystalline silicon carbide ingot, monocrystalline silicon carbide wafer and method of manufacturing the same.
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  17. Nakabayashi, Masashi; Fujimoto, Tatsuo; Sawamura, Mitsuru; Ohtani, Noboru, Monocrystalline silicon carbide ingot, monocrystalline silicon carbide wafer and method of manufacturing the same.
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  18. Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F., Producing high quality bulk silicon carbide single crystal by managing thermal stresses at a seed interface.
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  19. Kordina, Olof Claes Erik; Rao, Shailaja; Christie, Joshua R., Seed holder for crystal growth reactors.
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  20. Otsuki, Masashi; Maruyama, Takayuki; Endo, Shigeki; Kondo, Daisuke; Monbara, Takuya, Silicon carbide single crystal and production thereof.
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  21. Gupta, Avinash K.; Semenas, Edward; Zwieback, Ilya; Barrett, Donovan L.; Souzis, Andrew E., System for forming SiC crystals having spatially uniform doping impurities.
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