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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0899688 (1997-07-24) |
우선권정보 | JP-0215400 (1996-07-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 49 인용 특허 : 2 |
Apparatus and methods are disclosed for measuring wavefront aberrations microlithography projection lenses such as i-line or excimer laser projection lenses. The apparatus comprises an argon-ion laser irradiating a Fizeau surface that reflects reference light and transmits test light. The test light
[ What is claimed is:] [1.] A wavefront aberration-measuring apparatus for measuring wavefront aberrations of an exposure projection lens for an exposure device for microlithography, the exposure projection lens being selected as a test lens to be observed with the apparatus, the apparatus comprisin
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