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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0926190 (1997-09-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 57 인용 특허 : 27 |
A superlattice structure comprising alternating layers of material such as (PbEuTeSe).sub.m and (BiSbn).sub.n where m and n are the number of PbEuTeSe and BiSb monolayers per superlattice period. For one superlattice structure the respective quantum barrier layers may be formed from electrical insul
[ What is claimed is:] [40.] A short-period superlattice structure for an n-type thermoelectric element used for forming a thermoelectric device comprising at least one period of alternating m layers of PbTeSe and n layers of BiSb where m is less than n.
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