[특허]Fabrication method for a gate quality oxide-compound semiconductor structure

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Fabrication method for a gate quality oxide-compound semiconductor structure 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/3205 H01L-021/4763
출원번호	US-0917119 (1997-08-25)
발명자 / 주소	Passlack Matthias Abrokwah Jonathan K. Droopad Ravi Bowers Brian
출원인 / 주소	Motorola, Inc.
대리인 / 주소	Parsons
인용정보	피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 9

초록 ▼

A method of fabricating a gate quality oxide-compound semiconductor structure includes forming an insulating Ga.sub.2 O.sub.3 layer on the surface of a compound semiconductor wafer structure by a supersonic gas jet containing gallium oxide molecules and oxygen. In a preferred embodiment, a III-V compound semiconductor wafer structure with an atomically ordered and chemically clean semiconductor surface is transferred from a semiconductor growth chamber into an insulator deposition chamber via an ultra high vacuum preparation chamber. Ga.sub.2 O.sub.3 deposition onto the surface of the wafer structure is initiated by a supersonic gas jet pulse and proceeds via optimization of pulse duration, speed of gas jet, mole fraction of gallium oxide molecules and oxygen atoms, and plasma energy.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A method of manufacturing a gate quality oxide-compound semiconductor structure including the steps of:providing a compound semiconductor wafer structure with a surface; andforming an insulating oxide layer on the surface of the wafer structure by depositing insulating oxide material onto the wafer structure using a supersonic gas jet containing Ga.sub.2 O, O.sub.2 and an O gaseous species, or Ga and an O gaseous species.

이 특허에 인용된 특허 (9)

Eres Djula (Knoxville TN) Sharp Jeffrey W. (Knoxville TN), Apparatus for externally controlled closed-loop feedback digital epitaxy.
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Hinchliffe Robert D., Beam source for production of radicals and metastables.
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Hunt Neil E. J. (Scotch Plains NJ) Passlack Matthias (New Providence NJ) Schubert Erdmann F. (New Providence NJ) Zydzik George J. (Columbia NJ), Electron beam deposition of gallium oxide thin films using a single high purity crystal source.
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Schmitt Jerome J. (New Haven CT) Halpern Bret L. (Bethany CT), Evaporation system and method for gas jet deposition of thin film materials.
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Eres Diula (Knoxville TN) Lowndes Douglas H. (Oak Ridge TN), Method and apparatus for rapidly growing films on substrates using pulsed supersonic jets.
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Schmitt Jerome J. (265 College St. (12N) New Haven CT 06510), Method and apparatus for the deposition of solid films of a material from a jet stream entraining the gaseous phase of s.
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Schmitt ; III Jerome J. (New Haven CT) Halpern Bret L. (Bethany CT), Method for microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin films.
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Eres Djula (Knoxville TN) Sharp Jeffrey W. (Knoxville TN), Method of digital epilaxy by externally controlled closed-loop feedback.
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Schmitt ; III Jerome J. (New Haven CT) Halpern Bret L. (Bethany CT), Microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin film materials.
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이 특허를 인용한 특허 (6)

Tsuruta, Takaharu; Hayashi, Tadahisa, Method for drying under reduced pressure using microwaves.
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Yu Zhiyi (Jimmy) ; Passlack Matthias ; Bowers Brian ; Overgaard Corey Daniel ; Droopad Ravindranath ; Abrokwah Jonathan Kwadwo, Method of forming a gate quality oxide-compound semiconductor structure.
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Kwak, Byung-sung; Singh, Kaushal K.; Bangert, Stefan; Krishna, Nety M., Methods for plasma activation of evaporated precursors in a process chamber.
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Passlack Matthias ; Abrokwah Jonathan K. ; Pendharkar Sandeep ; Clemens Stephen B. ; Yu Jimmy Z. ; Bowers Brian, Passivation of oxide-compound semiconductor interfaces.
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Costa, Julio; Schirmann, Ernest; Cody, Nyles W.; Martinez, Marino J., Semiconductor device using a barrier layer between the gate electrode and substrate and method therefor.
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Strang, Eric J., Shower head gas injection apparatus with secondary high pressure pulsed gas injection.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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