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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0673172 (1996-06-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 4 |
A method in a plasma processing chamber for etching through a selected portion of a borophosphosilicate glass (BPSG) layer of a wafer layer stack. The method includes the step of introducing an etchant source gas into the plasma processing chamber, which consists essentially of CO, CHF.sub.3, and C.
[ What is claimed is:] [1.] A method for etching through a selected portion of a borophosphosilicate glass (BPSG) layer in a layer stack on a wafer, comprising:positioning said wafer into a plasma processing chamber;introducing an etchant source gas into said plasma processing chamber, said etchant
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