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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0669013 (1996-06-24) |
우선권정보 | FR-0007903 (1995-06-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 35 인용 특허 : 10 |
A method for forming a semiconductor sensor device comprises providing a substrate (4) and forming a sacrificial layer (18) over the substrate. The sacrificial layer (18) is then patterned and etched to leave a portion (19) on the substrate (4). A first isolation layer (6) is formed over the substra
[ We claim:] [1.] A method for forming a semiconductor sensor device comprising the steps of:providing a substrate;forming a sacrificial layer over the substrate;removing part of the sacrificial layer to leave a portion on the substrate;forming a first isolation layer over the substrate and the port
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