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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0080783 (1998-05-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 72 인용 특허 : 5 |
Thin layers of semiconductor material having a high degree of surface uniformity are produced by: implantion of deuterium ions into a body of semiconductor material to form a buried region of high stress, the buried region defining a thin outer region of the body; attaching a stiffening carrier to t
[ What I claim as my invention is:] [1.] A method of forming a thin layer of semiconductor material, the method comprising:(a) implanting a species of ions through a surface of a body of semiconductor material to form a buried region of high stress in the body, the buried region defining a thin oute
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