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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0808813 (1997-02-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 13 |
A charge pump circuit that is capable of generating a voltage that is greater in absolute magnitude than that of the substrate voltage Vsub in circuits where the substrate cannot be pumped to a voltage that is greater in absolute magnitude than Vsub is disclosed. Various innovative circuit technique
[ What is claimed is:] [1.] A charge pump circuit fabricated on a semiconductor substrate, comprising:first MOS transistor having a first source/drain terminal coupled to a reference voltage, a gate terminal coupled to a first clock signal, and a second source/drain terminal;second MOS transistor ha
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