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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0972288 (1997-11-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 12 |
The fixed charge in a borophosphosilicate glass insulating film deposited on a semiconductor device is reduced by reacting an organic precursor such as TEOS with O.sub.3. When done at temperatures higher than approximately 480 degrees C., the carbon level in the resulting film appears to be reduced,
[ What is claimed is:] [1.] A method of forming a thin film of glass having a low fixed charge on a semiconductor device in a deposition chamber comprising the steps of:positioning a semiconductor device in the deposition chamber;providing O.sub.3 within the deposition chamber;heating the deposition
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