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Apparatus to increase gas residence time in a reactor 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-016/00
출원번호 US-0950549 (1997-10-15)
발명자 / 주소
  • Sandhu Gurtej S.
  • Iyer Ravi
  • Sharan Sujit
출원인 / 주소
  • Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소
    Kirkpatrick & Lockhart LLP
인용정보 피인용 횟수 : 11  인용 특허 : 15

초록

An apparatus is provided for controlling the flow of gaseous reactants in a CVD reactor through the use of a body having interior and exterior regions, in which the body defines at least one flow path between the interior and exterior regions so as to create a pressure drop from the interior to the

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] An apparatus for controlling the flow of gaseous reactants in a reaction chamber having a gaseous reactant inlet and a substrate support disposed within the reaction chamber, said apparatus comprising:a hollow body disposed between the substrate support and the gaseous re

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Sandhu Gurtej S. ; Iyer Ravi ; Sharan Sujit, Apparatus and method to increase gas residence time in a reactor.
  2. Nyaiesh, Ali R.; Garwin, Edward L., Apparatus and process for deposition of hard carbon films.
  3. Deguchi Mikio (Itami JPX), Apparatus for producing semiconductor devices.
  4. Monkowski Joseph R. (Carlsbad CA) Logan Mark A. (Carlsbad CA), Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof.
  5. Philipossian Ara (Stoneham MA), Inert gas curtain for a thermal processing furnace.
  6. Oda Masao (Hyogo) Iwasa Tatsuya (Hyogo JPX), Method and apparatus for forming thin film.
  7. Yu Chorng-Tao (Yorba Linda CA) Isaak Kenneth H. (Tustin CA), Method for film thickness endpoint control.
  8. Kozuka Kiraku (Hiratsuka JPX), Method for producing non-monocrystalline semiconductor device and apparatus therefor.
  9. Benzing Jeffrey C. (Saratoga CA) Broadbent Eliot K. (San Jose CA) Rough J. Kirkwood H. (San Jose CA), Method of generating plasma having high ion density for substrate processing operation.
  10. Johnson Wayne L. (12019 S. Appaloosa Dr. Phoenix AZ 85044), Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus.
  11. Kaminishizono Takahiro (Tokyo JPX) Akimoto Takeshi (Tokyo JPX), Plasma processing apparatus.
  12. Gosain Dharam P. (Kanagawa JPX) Westwater Jonathan (Kanagawa JPX) Usui Setsuo (Kanagawa JPX), Plasma processing method and plasma generator.
  13. Barnes Michael (San Francisco CA) Benjamin Neil (E.P.A. CA) Holland John (Santa Clara CA) Beer Richard (Sunnyvale CA) Veltrop Robert (Saratoga CA), Plasma processor for large workpieces.
  14. Kieser Jrg (Albstadt DEX) Sellschopp Michael (Hammersbach DEX) Geisler Michael (Wchtersbach DEX), Plasma treatment apparatus.
  15. Perlov Ilya (Santa Clara CA), Susceptor drive and wafer displacement mechanism.

이 특허를 인용한 특허 (11)

  1. Byun, Chul Soo; Han, Man Cheol, Apparatus of chemical vapor deposition with a showerhead regulating injection velocity of reactive gases positively and method thereof.
  2. Byun, Chul Soo; Han, Man Cheol, Apparatus of chemical vapor deposition with a showerhead regulating injection velocity of reactive gases positively and method thereof.
  3. Byun, Chul Soo; Han, Man Cheol, Apparatus of chemical vapor deposition with a showerhead regulating injection velocity of reactive gases positively and method thereof.
  4. Sandhu Gurtej S. ; Iyer Ravi ; Sharan Sujit, Apparatus to increase gas residence time in a reactor.
  5. Faguet, Jacques; Iwasaki, Masahide; Nozawa, Toshihisa, Method and system for performing different deposition processes within a single chamber.
  6. Faguet, Jacques, Method and system for performing plasma enhanced atomic layer deposition.
  7. Gurtej S. Sandhu ; Ravi Iyer ; Sujit Sharan, Method to increase gas residence time in a reactor.
  8. McNie, Mark Edward; Cooke, Michael Joseph; Lea, Leslie Michael, Methods and apparatus for depositing and/or etching material on a substrate.
  9. Zieger, Claus Dieter; Zieger, Niclas Henning; Buzzi, Guenther, Multiple proportion delivery systems and methods.
  10. Ishizaka, Tadahiro; Matsuda, Tsukasa; Cerio, Jr., Frank M.; Yamamoto, Kaoru, Plasma enhanced atomic layer deposition system.
  11. Daugherty, John; Benjamin, Neil; Huang, Song, Pump baffle and screen to improve etch uniformity.
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