[특허]Method of oxidation of semiconductor wafers in a rapid thermal processing (RTP) system

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-016/00 H01L-021/02
출원번호	US-0953590 (1997-10-17)
발명자 / 주소	Lerch Wilfried,DEX Roters Georg,DEX Muenzinger Peter,DEX Mader Roland,DEX
대리인 / 주소	Hodgson
인용정보	피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 5

초록 ▼

A method of producing a film on the surface of a semiconductor wafer in an RTP system, comprising: a) rapidly processing the wafer at a first temperature T.sub.1 in an atmosphere containing a substantial vapor pressure of a first reactive gas; then b) rapidly processing the wafer at a second tempera

대표청구항 ▼

[ We claim:] [1.] A method of producing a film on a surface of a semiconductor wafer in an rapid thermal processing (RTP) system, comprising:a) rapidly raising the temperature of said wafer to a first temperature T.sub.1 ;b) holding the temperature of said wafer approximately constant at T.sub.1 for a period of time in a range of seconds or minutes for processing said wafer in an atmosphere containing a substantial vapor pressure of a first reactive gas;c) reducing the temperature of said wafer to a third temperature T.sub.3, where T.sub.3 substantially less than T.sub.1 ;d) flushing said RTP system with a gas substantially free of the first reactive gas, keeping the wafer temperature approximately constant for a period of time in a range of seconds to minutes;e) rapidly rising the wafer temperature from T.sub.3 to a second temperature T.sub.2 ; andf) holding the wafer temperature approximately constant at T.sub.2 for a period of time in a range of seconds or minutes, while rapidly processing said wafer at T.sub.2 in an atmosphere different from said first reactive gas.

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Ang Saw T. (Garland TX), Dual dielectric gate system comprising silicon dioxide and amorphous silicon.
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Fulford ; Jr. H. Jim (Austin TX) Gardner Mark I. (Cedar Creek TX), Method for fabricating thin oxides for a semiconductor technology.
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Pong Chil-kun (Seoul KRX) Kang Myeon-koo (Suwon KRX) Lee Yang-koo (Seoul KRX) Shin Dong-ho (Seoul KRX), Method for forming a gate oxide film of a semiconductor device.
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Sun Yu (Saratoga CA) Liu Yowjuang W. (San Jose CA), Post-gate LOCOS.
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Chandra Grish (Midland MI) Martin Theresa E. (Midland MI), Rapid thermal process for obtaining silica coatings.
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Basceri,Cem; Sandhu,Gurtej S.; Yang,Sam, Capacitor with high dielectric constant materials and method of making.
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Rhodes, Howard E., Capacitor with oxygenated metal electrodes and high dielectric constant materials.
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Weimer, Ronald A.; Hu, Yongjun Jeff; Pan, Pai Hung; Ratakonda, Deepa; Beck, James; Thakur, Randhir P. S., Forming a conductive structure in a semiconductor device.
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Nakamura, Genji; Tada, Yoshihide; Imai, Masayuki; Suemura, Asami; Hishiya, Shingo, Method and apparatus for forming insulating film containing silicon oxy-nitride.
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Aoki, Kimiya; Suzuki, Katsushi; Shirakawa, Asami; Tago, Kenji; Suzuki, Keisuke; Saki, Kazuo; Mori, Shinji, Method and apparatus for forming silicon oxide film.
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Tanabe, Yoshikazu; Sakai, Satoshi; Natsuaki, Nobuyoshi, Method for fabricating semiconductor integrated circuit device.
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Chen B. F.,TWX ; Lin F. Y.,TWX ; Lin W. J.,TWX, Method for forming a gate oxide layer.
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Arne W. Ballantine ; Jeffrey S. Brown ; Jeffrey D. Gilbert ; James J. Quinlivan ; James A. Slinkman ; Anthony C. Speranza, Method for forming a liner in a trench.
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Yu Mo-Chiun,TWX, Method for forming dual gate oxides on integrated circuits with advanced logic devices.
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Oosterlaken Theodorus Gerardus Maria,NLX ; Huussen Frank,NLX ; Berg Remco Van Der,NLX, Method for the chemical treatment of a semiconductor substrate.
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Howard E. Rhodes, Method of making a capacitor with oxygenated metal electrodes and high dielectric constant materials.
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Marcus Steven D. ; Glowacki Frederique,DEX ; Froeschle Barbara,DEX, Method of rapid thermal processing (RTP) of ion implanted silicon.
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Kelly T. Hurley, Variable temperature LOCOS process.
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