[특허]MOSFET for input/output protective circuit having a multi-layered contact structure with multiple contact holes on a si

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MOSFET for input/output protective circuit having a multi-layered contact structure with multiple contact holes on a si 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-023/48
출원번호	US-0906336 (1997-08-05)
우선권정보	JP-0205612 (1996-08-05)
발명자 / 주소	Narita Kaoru,JPX Fujii Takeo,JPX
출원인 / 주소	NEC Corporation, JPX
대리인 / 주소	Sughrue, Mion, Zinn, Macpeak & Seas, PLLC
인용정보	피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 4

초록 ▼

According to the present invention, a MOSFET for an input/output protective circuit in which a source diffusion layer, a drain diffusion layer and a gate electrode are formed on a semiconductor substrate comprises a high melting point metal silicide layer disposed on the drain diffusion layer through a first insulating film, a metal wire layer disposed on the high melting point metal silicide layer through a second insulating film, at least two first contact holes for electrically connecting the high melting point metal silicide layer and the metal wire layer, and a second contact hole for electrically connecting the high melting point metal silicide layer and the drain diffusion layer, wherein the second contact hole is disposed at a substantial center between the two first contact holes.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A MOSFET for an input/output protective circuit in which a diffusion layer, a drain diffusion layer and a gate electrode are formed on a semiconductor substrate, said MOSFET further comprising:a first insulating film with a first contact hole formed therein and formed on the substrate;a second insulating layer with a second contact hole and a third contact hole formed therein and formed above said insulating film;a high melting point metal silicide layer disposed on an upper surface of said first insulating film, said high melting point silicide layer being in electrical contact with said drain diffusion layer through the first contact hole formed in the first insulating film;a metal wire layer disposed on said second insulating film, said metal wire layer being in electrical contact with said high melting point metal silicide layer which is formed on said upper surface of the first insulating film through the second and third contact holes formed in the second insulating film;wherein said first contact hole formed in said first insulating film is disposed at a substantial center between said second and third contact holes formed in said second insulating film.

이 특허에 인용된 특허 (4)

Li Sheau-Suey (Cupertino CA) Ong Randy T. (Cupertino CA) Broydo Samuel (Los Altos Hills CA) Duong Khue (San Jose CA), ESD protection circuit.
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Cole ; Jr. Herbert S. (Burnt Hills NY) Rose James W. (Guilderland NY), High density interconnect structure including a spacer structure and a gap.
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Dunn James S. (Jericho VT) Hulvey Michael D. (Burlington VT) Johnson Eric D. (Westford VT) Kertis Robert A. (Rochester MN) Kieft ; III Kenneth K. (Essex Junction VT) Lanpher Albert E. (Waterville VT), High performance bipolar devices with plurality of base contact regions formed around the emitter layer.
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Rostoker Michael D. (San Jose CA) Chang Yin (Berkeley CA), Semiconductor package having programmable interconnect.
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이 특허를 인용한 특허 (6)

Yoko Horiguchi JP, Input/output protective device.
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Angell,David; Beaulieu,Frederic; Hisada,Takashi; Kelly,Adreanne; McKnight,Samuel Roy; Miyai,Hiromitsu; Petrarca,Kevin Shawn; Sauter,Wolfgang; Volant,Richard Paul; Weinstein,Caitlin W., Internally reinforced bond pads.
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Rhodes,Howard E., Local multilayered metallization.
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Rhodes,Howard E., Local multilayered metallization.
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Chen,Sheng Hsiung, Method of improving copper pad adhesion.
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Sakaino,Yasutaka; Kato,Jouji; Umezawa,Yoshiaki, Semiconductor integrated circuit having transistor with reduced resistance.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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