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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0034514 (1998-03-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 2 |
An improved slurry for polish removal. One application of this slurry is for shallow trench isolation processing in semiconductor manufacturing. The improved slurry has an enhanced oxide to nitride polish removal selectivity. A modified slurry is formed by mixing a polishing slurry with tetramethyl
[ What is claimed is:] [1.] A method of enhancing the polish removal selectivity in a semiconductor process, comprising polishing a semiconductor device with a modified slurry, said modified slurry formed by the process of combining a slurry with salt of tetramethyl ammonium, a base, and hydrogen pe
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