[특허]Semiconductor device with gate electrodes having conductive films

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/76 H01L-029/94 H01L-031/113 H01L-031/119
출원번호	US-0862650 (1997-05-23)
우선권정보	JP-0313674 (1996-11-25)
발명자 / 주소	Arima Satoshi,JPX
출원인 / 주소	Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha, JPX
대리인 / 주소	McDermott, Will & Emery
인용정보	피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 10

초록 ▼

First and second gate electrodes are formed spaced from each other on a semiconductor substrate. A pair of impurity diffusion layers are provided on both sides of the first gate electrode at the surface of the semiconductor substrate. The first gate electrode includes a first lower conductive film, a first protective conductive film provided on the first lower conductive film, and a first upper conductive film provided on the first protective conductive film. The second gate electrode includes a second lower conductive film, a second protective conductive film provided on the second lower conductive film, and a second upper conductive film provided on the second protective conductive film. The second upper conductive film extends to be in contact with one of the pair of impurity diffusion layers.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor device, comprising:a semiconductor substrate:first and second gate electrodes formed spaced from each other on said semiconductor substrate; anda pair of impurity diffusion layers formed on both sides of said first gate electrode at a surface of said semiconductor substrate; whereinsaid first gate electrode includes a first lower conductive film comprising a first conductive material, a first intermediate conductive film provided on said first lower conductive film and an upper conductive film comprising the first conductive material provided on said first intermediate conductive film,said second gate electrode includes a second lower conductive film, a second intermediate conductive film provided on said second lower conductive film, and a second upper conductive film formed on said second intermediate film, andsaid second upper conductive film extends to be in contact with one of said pair of impurity diffusion layers.

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Godinho Norman (Los Altos Hills CA) Lee Tsu-Wei Frank (Monte Sereno CA) Chen Hsiang-Wen (Cupertino CA) Motta Richard F. (Los Altos CA) Tsang Juine-Kai (Palo Alto CA) Tzou Joseph (Belmont CA) Baik Jai, Self-aligning contact and interconnect structure.
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