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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0997845 (1997-12-24) |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 12 |
A hot press method for the fabrication of doped or undoped gallium nitride compacts, and of other nitride compacts, employs as a starting material a powder mixture of the selected nitride and of a nitrogen rich salt. A preferred method for fabricating gallium nitride compacts employs ammonium carbon
[ I claim:] [1.] A substantially pure gallium nitride compact having a density in excess of 75% of maximum theoretical density.
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