[특허]Highly corrosion-resistant silicon carbide product

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[미국특허] Highly corrosion-resistant silicon carbide product 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C04B-035/569
출원번호	US-0917728 (1997-08-27)
우선권정보	JP-0244128 (1996-08-27)
발명자 / 주소	Nakayama Takahiro,JPX Kageyama Nobuo,JPX Takenaka Atsuyoshi,JPX Kamisuki Yoichi,JPX
출원인 / 주소	Asahi Glass Company Ltd., JPX
대리인 / 주소	Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C.
인용정보	피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 6

초록

A highly corrosion-resistant silicon carbide product consisting of a sintered body having a content of .alpha.-form silicon carbide of at least 90 wt %, wherein the content of iron is at most 1 ppm, the content of aluminum is at most 5 ppm, and the content of calcium is at most 3 ppm.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A plasma etching apparatus for producing semiconductors, wherein at least one of the components of the apparatus is made from a corrosion resistant silicon carbide product having at most 1 ppm iron, at most 5 ppm aluminum, at most 3 ppm calcium, and at least 50 wt % a sil

이 특허에 인용된 특허 (6) 인용/피인용 타임라인 분석

Numata Hideji (Takasago JPX) Ono Takuro (Yokohama JPX) Kageyama Nobuo (Takasago JPX) Furukawa Koji (Takasago JPX) Makimura Ryuhei (Toyama JPX), Heat treating apparatuses for semiconductors and high purity silicon carbide parts for the apparatuses and a method of m.
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Tanaka Takashi (Yamagata JPX) Hayashi Kenro (Hadano JPX), Method of manufacturing heating furnace parts.
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Holmes Thomas M. ; Tomanovich John A., Method of using a hot pressed silicon carbide dummy wafer.
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Kojima Shoichi (Tokyo JPX) Minagawa Kazuhiro (Amagasaki JPX) Kano Haruyuki (Ibaraki-ken JPX) Miyazaki Tadaaki (Higashi-Yamato JPX) Wada Hiroaki (Kawasaki JPX), Process for preparing a silicon carbide sintered body for use in semiconductor equipment.
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Kojima Shoichi (Tokyo JPX) Minagawa Kazuhiro (Chiba JPX) Saito Tasuku (Tokorozawa JPX) Kurachi Tasuo (Tokyo JPX) Kano Haruyuki (Kashima JPX), Process for preparing silicon carbide powder for use in semiconductor equipment.
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Arahori Tadahisa (Chiba JPX) Hayashi Shigetoshi (Chiba JPX) Minagawa Kazuhiro (Kawagoe JPX), Process for producing silicon carbide-base complex.
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이 특허를 인용한 특허 (9) 인용/피인용 타임라인 분석

Kobayashi, Hiromichi, Corrosion-resistive ceramic materials and members for semiconductor manufacturing.
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Yokogawa, Ken'etsu; Miyake, Masatoshi, Heat treatment apparatus that performs defect repair annealing.
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Narendar,Yeshwanth; Buckley,Richard F., High purity silicon carbide wafer boats.
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Kamisuki,Yoichi; Enomoto,Satohiro; Irisawa,Naoshi, Joining method for high-purity ceramic parts.
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Masashi Otsuki JP; Hiroaki Wada JP, Method for cleaning sintered silicon carbide in wet condition.
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Nikolaev, Audrey E.; Melnik, Yuri V.; Vassilevski, Konstantin V.; Dmitriev, Vladimir A., Method for growing p-type III-V compound material utilizing HVPE techniques.
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Ohno, Kazushige; Sato, Hiroki; Hayashi, Masayuki, Method for producing porous body, porous body, and honeycomb structure.
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Narendar, Yeshwanth; Buckley, Richard F., Method for treating semiconductor processing components and components formed thereby.
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Kawai Chihiro,JPX ; Yamagata Shin-ichi,JPX ; Fukui Akira,JPX ; Takeda Yoshinobu,JPX, Silicon carbide based composite material and manufacturing method thereof.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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