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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0751338 (1996-11-18) |
우선권정보 | JP-0323674 (1995-11-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 176 인용 특허 : 4 |
A resin material having a small relative dielectric constant is used as a layer insulation film 114. The resin material has a flat surface. A black matrix or masking film for thin film transistors is formed thereon using a metal material. Such a configuration prevents the problem of a capacity gener
[ What is claimed is:] [1.] An electro-optical device comprising:a thin film transistor;a first layer insulation film made of silicon oxide or silicon nitride provided relative to said thin film transistor;a second layer insulation film made of polyimide resin or acrylic resin, provided for flatteni
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