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[미국특허] Magnetic multilayered film, magnetoresistance effect element and magnetoresistance device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G11B-005/66
출원번호 US-0873739 (1997-06-12)
우선권정보 JP-0175490 (1996-06-14)
발명자 / 주소
  • Ohta Manabu,JPX
  • Noguchi Kiyoshi,JPX
  • Sano Masashi,JPX
  • Araki Satoru,JPX
  • Oike Taro,JPX
출원인 / 주소
  • TDK Corporation, JPX
대리인 / 주소
    Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 30  인용 특허 : 1

초록 ▼

According to the present invention, a magnetic multilayered film includes an oxide antiferromagnetic layer, a pinned ferromagnetic layer which is pinned by the oxide antiferromagnetic layer, a non-magnetic metal layer and a free ferromagnetic layer which are stacked on a substrate in order. A surfac

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A magnetic multilayered film comprising an oxide antiferromagnetic layer, a pinned ferromagnetic layer which is pinned by said oxide antiferromagnetic layer, a non-magnetic metal layer and a free ferromagnetic layer which are stacked on a substrate in order,wherein a surf

이 특허에 인용된 특허 (1) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Grnberg Peter (Jlich DEX), Magnetic field sensor with ferromagnetic thin layers having magnetically antiparallel polarized components.
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이 특허를 인용한 특허 (30) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Gill Hardayal Singh, Antiparallel (AP) pinned spin valve sensor with giant magnetoresistive (GMR) enhancing layer.
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  2. Zheng, You Feng; Ju, Kochan; Liao, Simon, Canted adjacent layer stabilized SV heads.
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  3. Lin, Tsann; Mauri, Daniele, Current-perpendicular-to-plane read head with an amorphous magnetic bottom shield layer and an amorphous nonmagnetic bottom lead layer.
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  4. Mao Sining ; Murdock Edward S., Enhanced spin-valve/GMR magnetic sensor with an insulating boundary layer.
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  5. Hasegawa,Naoya; Saito,Masamichi, Exchange coupled film having improved current-carrying reliability and improved rate of change in resistance and magnetic sensing element using same.
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  6. Hasegawa,Naoya; Saito,Masamichi, Exchange coupled film having improved current-carrying reliability and improved rate of change in resistance and magnetic sensing element using same.
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  7. Sano, Masashi; Araki, Satoru; Tsuchiya, Yoshihiro; Uesugi, Takumi, Magnetic transducer, thin film magnetic head, method of manufacturing magnetic transducer and method of manufacturing thin film magnetic head.
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  8. Kazuhiko Hayashi JP; Keishi Ohashi JP; Nobuyuki Ishiwata JP; Masafumi Nakada JP; Hisao Matsutera JP; Hisanao Tsuge JP; Atsushi Kamijo JP, Magneto-resistive element and magnetic head for data writing/reading.
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  9. Olivier Redon JP; Koji Shimazawa JP; Noriaki Kasahara JP; Satoru Araki JP, Magneto-resistive tunnel junction head having a shield lead rear flux guide.
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  10. Olivier Redon JP; Koji Shimazawa JP; Noriaki Kasahara JP; Satoru Araki JP, Magneto-resistive tunnel junction head with biasing elements abutting free layer extended portions.
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  11. Olivier Redon JP; Koji Shimazawa JP; Noriaki Kasahara JP; Satoru Araki JP, Magneto-resistive tunnel junction head with specific flux guide structure.
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  12. Fujikata, Junichi; Nakada, Masafumi, Magnetoresistance effect film and device.
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  13. Fujikata, Junichi; Nakada, Masafumi, Magnetoresistance effect film and device.
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  14. Araki Satoru,JPX ; Morita Haruyuki,JPX, Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head.
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  15. Araki Satoru,JPX ; Sano Masashi,JPX ; Tsuchiya Yoshihiro,JPX, Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head.
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  16. Araki Satoru,JPX ; Morita Haruyuki,JPX, Magnetoresistance effect head obtained using a pulse magnetic field process.
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  17. Araki, Satoru; Tsuchiya, Yoshihiro; Sano, Masashi, Magnetoresistance effect type head.
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  18. Shimura,Ken ichi; Kamijo,Atsushi; Fukumoto,Yoshiyuki; Mori,Kaoru, Magnetoresistive device and method for manufacturing same.
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  19. Kawawake, Yasuhiro; Satomi, Mitsuo; Sugita, Yasunari; Sakakima, Hiroshi, Magnetoresistive device with an α-Fe2O3 antiferromagnetic film and indirect exchange coupling film layers of differing thickness.
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  20. Shvets,Igor; Arora,Sunil Kumar; Pilli,Sumesh Sofin Ramakrishna, Magnetoresistive medium including nanowires.
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  21. Zhu, Jian-Gang, Magnetoresistive read head having permanent magnet on top of magnetoresistive element.
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  22. Djayaprawira, David Djulianto; Tsunekawa, Koji; Nagai, Motonobu, Method and apparatus for depositing a magnetoresistive multilayer film.
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  23. Iwasaki, Yoh, Method for magnetic characteristics modulation and magnetically functioning apparatus.
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  24. Djayaprawira, David Djulianto; Tsunekawa, Koji; Nagai, Motonobu, Method for manufacturing a magnetoresistive multilayer film.
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  25. Gill, Hardayal Singh, Method of making an antiparallel (AP) pinned spin valve sensor with giant magnetoresistive (GMR) enhancing layer.
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  26. Kamiguchi Yuzo,JPX ; Saito Akiko,JPX ; Koui Katsuhiko,JPX ; Yoshikawa Masatoshi,JPX ; Yuasa Hiromi,JPX ; Fukuzawa Hideaki,JPX ; Hashimoto Susumu,JPX ; Iwasaki Hitoshi,JPX ; Yoda Hiroaki,JPX ; Sahashi, Multi-layered thin-film functional device and magnetoresistance effect element.
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  27. Yuzo Kamiguchi JP; Akiko Saito JP; Katsuhiko Koui JP; Masatoshi Yoshikawa JP; Hiromi Yuasa JP; Hideaki Fukuzawa JP; Susumu Hashimoto JP; Hitoshi Iwasaki JP; Hiroaki Yoda JP; Masashi Sahashi , Multi-layered thin-film functional device and magnetoresistance effect element.
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  28. Nagasaka, Keiichi, Spin-valve magnetoresistive device having a layer for canceling a leakage magnetic field.
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  29. Hasegawa, Naoya, Spin-valve thin-film magnetic element suitable for track narrowing and thin-film magnetic head using the same.
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  30. Satoru Araki JP; Koji Shimazawa JP; Haruyuki Morita JP, Tunnel magnetoresistance effect element.
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