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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0839835 (1997-04-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 7 |
A semiconductor layer of In.sub.1-x Tl.sub.x Q carried on a substrate forms an infrared device, where Q is selected from the group consisting essentially of As.sub.1-y P.sub.y and 0
[ We claim:] [26.] A stoichiometric semiconductor compound comprising the elements In, Tl, and including at least one of the elements of As and P, wherein the compound is stoichiometric with respect to at least three of said elements. .Iaddend..Iadd.
대표청구항
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