[특허]Method for producing silicon carbide monocrystals

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[미국특허] Method for producing silicon carbide monocrystals 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C30B-007/10
출원번호	US-0013990 (1998-01-27)
우선권정보	DE-0027536 (1995-07-27)
발명자 / 주소	Stein Rene,DEX Rupp Roland,DEX Volkl Johannes,DEX
출원인 / 주소	Siemens Aktiengesellschaft, DEX
대리인 / 주소	Lerner
인용정보	피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 4

초록

A method for producing cubic SiC monocrystals includes dissolving SiC powder or other starting material in a solvent at high overpressures and growing the monocrystals on a seed crystal.

대표청구항 ▼

[ We claim:] [1.] A method for producing silicon carbide monocrystals, which comprises:a) introducing a solvent starting material in solid form and at least one seed crystal into a pressure-proof vessel;b) establishing a pressure in the vessel above 10.sup.5 Pa and great enough to at least partially dissolve the at least one starting material in the solvent;c) selecting the solvent and the starting material to form a solution of the starting material and the solvent containing both silicon and carbon; andd) growing a silicon carbide monocrystal out of the solution on the at least one seed crystal.

이 특허에 인용된 특허 (4) 인용/피인용 타임라인 분석

Krijgsman Pieter (10 ; Groteweg 8191JW - Wapenveld NLX), Method and structure for forming a reaction product.
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Krijgsman Dieter (10 ; Groteweg 8191JW - Wapenveld NLX), Methods for forming titanium calcium oxide and zirconium calcium oxide.
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Krijgsman Pieter (10 ; Groteweg 8191JW - Wapenveld NLX), Structure for forming a reaction product.
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Davis Robert F. (Raleigh NC) Carter ; Jr. Calvin H. (Raleigh NC) Hunter Charles E. (Durham NC), Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide.
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이 특허를 인용한 특허 (14) 인용/피인용 타임라인 분석

Chang, Chun-Yen; Yang, Tsung Hsi, Light emitter device.
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Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki, Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal.
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Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki, Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal.
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Kitaoka,Yasuo; Mori,Yusuke; Sasaki,Takatomo; Kawamura,Fumio; Kawahara,Minoru, Method for producing silicon carbide (SiC) single crystal and silicon carbide (SiC) single crystal obtained by such method.
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Mueller, Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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Nakamura, Shuji; Mukai, Takashi; Tanizawa, Koji; Mitani, Tomotsugu; Marui, Hiroshi, Nitride semiconductor device.
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Nakamura,Shuji; Mukai,Takashi; Tanizawa,Koji; Mitani,Tomotsugu; Marui,Hiroshi, Nitride semiconductor device.
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Nagahama, Shinichi; Nakamura, Shuji, Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof.
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Nagahama,Shinichi; Nakamura,Shuji, Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof.
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Kozaki, Tokuya; Sano, Masahiko; Nakamura, Shuji; Nagahama, Shinichi, Nitride semiconductor laser device.
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Kozaki,Tokuya; Sano,Masahiko; Nakamura,Shuji; Nagahama,Shinichi, Nitride semiconductor laser device.
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Kozaki,Tokuya; Sano,Masahiko; Nakamura,Shuji; Nagahama,Shinichi, Nitride semiconductor laser device.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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