[특허]Plasma processing apparatus

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-016/00
출원번호	US-0791460 (1997-01-27)
발명자 / 주소	Takai Satoshi,JPX Yamagami Atsushi,JPX Okamura Nobuyuki,JPX
출원인 / 주소	Canon Kabushiki Kaisha, JPX
대리인 / 주소	Fitzpatrick, Cella, Harper & Scinto
인용정보	피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 5

초록 ▼

To improve the processing rate and uniformity in a plasma processing for a substrate having a relatively large area, a plasma processing apparatus includes a reaction vessel which has a portion made of a dielectric member, which accommodates a film formation substrate, and which can be evacuated, an evacuating means and a gas supply means for supplying a predetermined gas into the reaction vessel, a cathode electrode arranged in a position outside the reaction vessel where the cathode electrode opposes the film formation substrate accommodated in the reaction vessel via the dielectric member, and a high frequency power supply means (a matching circuit and a high frequency power supply) for supplying high frequency power of 30 MHz to 300 MHz to the cathode electrode. The high frequency power of 30 MHz to 300 MHz is supplied to the cathode electrode to generate a plasma between the dielectric member and the film formation substrate.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A plasma processing apparatus comprising:a reaction vessel having a dielectric member in a portion thereof, capable of housing a film formation substrate or an object to be processed, and capable of being evacuated;gas supply means for supplying a predetermined gas into the reaction vessel;a cathode electrode for supplying an electromagnetic wave used for generating plasma in the reaction vessel through the dielectric member, the cathode electrode provided being outside the reaction vessel; andhigh frequency power supply means for supplying high frequency power of 30 MHz to 300 MHz to the cathode electrode,wherein the dielectric member has a first surface facing toward the inside of the reaction vessel and a second surface opposite to the first surface, and the second surface faces the cathode electrode and an empty space is provided therebetween.

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Ogle John S. (1472 Pashote Ct. Milpitas CA 95035), Method and apparatus for producing low pressure planar plasma using a coil with its axis parallel to the surface of a co.
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A	생활필수품
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