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[미국특허] Growth of bulk single crystals of aluminum nitride 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-035/00
출원번호 US-0111412 (1998-07-07)
발명자 / 주소
  • Hunter Charles Eric
대리인 / 주소
    Faust
인용정보 피인용 횟수 : 44  인용 특허 : 0

초록

Bulk, low impurity aluminum nitride (AlN) single crystals are grown by sublimation or similar deposition techniques at growth rates greater than 0.5 mm/hr.

대표청구항 ▼

[ That which is claimed is:] [1.] An apparatus for the growth of bulk single crystals of AlN at enhanced growth rates by depositing vapor species of Al and N on the crystal growth interface of a seed crystal, said apparatus comprising:a furnace chamber, a heater, a thermal sink, a seed holder therma

이 특허를 인용한 특허 (44) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Schujman, Sandra B.; Rao, Shailaja P.; Bondokov, Robert T.; Morgan, Kenneth E.; Slack, Glen A.; Schowalter, Leo J., Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them.
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  2. Schujman, Sandra B.; Rao, Shailaja P.; Bondokov, Robert T.; Morgan, Kenneth E.; Slack, Glen A.; Schowalter, Leo J., Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to untraviolet light and methods of forming them.
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  3. Hunter Charles Eric, Bulk single crystals of aluminum nitride.
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  4. Slack, Glen A.; Schujman, Sandra B., Deep-eutectic melt growth of nitride crystals.
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  5. Bondokov, Robert T.; Morgan, Kenneth E.; Schowalter, Leo J.; Slack, Glen A., Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth.
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  6. Bondokov, Robert T.; Morgan, Kenneth E.; Schowalter, Leo J.; Slack, Glen A., Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth.
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  7. Bondokov, Robert T.; Morgan, Kenneth E.; Schowalter, Leo J.; Stack, Glen A., Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth.
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  8. Bondokov, Robert T.; Morgan, Kenneth E.; Schowalter, Leo; Slack, Glen A., Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth.
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  9. Bondokov, Robert T.; Schowalter, Leo J.; Morgan, Kenneth; Slack, Glen A.; Rao, Shailaja P.; Gibb, Shawn Robert, Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth.
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  10. Slack, Glen A.; Schowalter, Leo J., Doped aluminum nitride crystals and methods of making them.
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  11. Slack, Glen A.; Schowalter, Leo J., Doped aluminum nitride crystals and methods of making them.
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  12. Slack, Glen A.; Schowalter, Leo J., Doped aluminum nitride crystals and methods of making them.
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  13. Hunter Charles Eric, Growth of bulk single crystals of aluminum nitride from a melt.
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  14. Bondokov, Robert T.; Rao, Shailaja P.; Gibb, Shawn R.; Schowalter, Leo J., Growth of large aluminum nitride single crystals with thermal-gradient control.
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  15. Bondokov, Robert T.; Rao, Shailaja P.; Gibb, Shawn Robert; Schowalter, Leo J., Growth of large aluminum nitride single crystals with thermal-gradient control.
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  16. Miyanaga, Michimasa; Mizuhara, Naho; Fujiwara, Shinsuke; Nakahata, Hideaki; Kawase, Tomohiro, III-nitride single-crystal growth method.
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  17. Bondokov, Robert T.; Morgan, Kenneth; Slack, Glen A.; Schowalter, Leo J., Large aluminum nitride crystals with reduced defects and methods of making them.
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  18. Bondokov, Robert; Morgan, Kenneth E.; Slack, Glen A.; Schowalter, Leo J., Large aluminum nitride crystals with reduced defects and methods of making them.
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  19. Benvenuti, Giacomo; Halary-Wagner, Estelle; Amorosi, Simone; Hoffmann, Patrik, Large area deposition in high vacuum with high thickness uniformity.
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  20. Cuomo, Jerome J.; Williams, N. Mark; Hanser, Andrew David; Carlson, Eric Porter; Thomas, Darin Taze, MIIIN based materials and methods and apparatus for producing same.
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  21. Michael J. Manfra ; Loren N. Pfeiffer ; Kenneth W. West ; Yiu-Huen Wong, MOS transistor having aluminum nitride gate structure and method of manufacturing same.
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  22. Wang, Shaoping, Method and apparatus for aluminum nitride monocrystal boule growth.
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  23. Cuomo, Jerome J.; Williams, N. Mark; Hanser, Andrew David; Carlson, Eric Porter; Thomas, Darin Taze, Method and apparatus for producing MIIIN columns and MIIIN materials grown thereon.
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  24. Schowalter, Leo J.; Slack, Glen A.; Rojo, J. Carlos, Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride.
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  25. Schowalter, Leo J.; Slack, Glen A.; Rojo, J. Carlos, Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride.
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  26. Schowalter, Leo J.; Slack, Glen A.; Rojo, J. Carlos, Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride.
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  27. Schowalter, Leo J.; Slack, Glen A.; Rojo, J. Carlos; Bondokov, Robert T.; Morgan, Kenneth E.; Smart, Joseph A., Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride.
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  28. Schowalter, Leo; Slack, Glen A.; Rojo, Juan Carlos; Bondokov, Robert T.; Morgan, Kenneth E.; Smart, Joseph A., Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride.
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  29. Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki, Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal.
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  30. Deitch Richard H. ; Digges ; Jr. Thomas G., Method for forming a solid solution alloy crystal.
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  31. Richard H. Deitch ; Thomas G. Digges, Jr., Method for forming a solid solution alloy crystal.
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  32. Morgan, Kenneth E.; Schowalter, Leo J.; Slack, Glen A., Methods for controllable doping of aluminum nitride bulk crystals.
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  33. Mueller, Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  34. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  35. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  36. Schowalter, Leo J.; Smart, Joseph A.; Liu, Shiwen; Morgan, Kenneth E.; Bondokov, Robert T.; Bettles, Timothy J.; Slack, Glen A., Nitride semiconductor heterostructures and related methods.
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  37. Schowalter, Leo J.; Smart, Joseph A.; Liu, Shiwen; Morgan, Kenneth E.; Bondokov, Robert T.; Bettles, Timothy J.; Slack, Glen A., Nitride semiconductor heterostructures and related methods.
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  38. Cuomo, Jerome J.; Williams, N. Mark, Non-thermionic sputter material transport device, methods of use, and materials produced thereby.
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  39. Schowalter, Leo J.; Chen, Jianfeng; Grandusky, James R., Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices.
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  40. Schowalter, Leo J.; Chen, Jianfeng; Grandusky, James R., Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices.
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  41. Schowalter,Leo J.; Slack,Glen A., Powder metallurgy crucible for aluminum nitride crystal growth.
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  42. Grandusky, James R.; Schowalter, Leo J.; Jamil, Muhammad; Mendrick, Mark C.; Gibb, Shawn R., Pseudomorphic electronic and optoelectronic devices having planar contacts.
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  43. Hunter Charles Eric, Simulated diamond gemstones formed of aluminum nitride and aluminum nitride: silicon carbide alloys.
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  44. Schowalter, Leo J.; Smart, Joseph A.; Grandusky, James R.; Liu, Shiwen, Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers.
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