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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0898089 (1997-07-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 213 인용 특허 : 16 |
High aspect ratio openings in excess of 3, such as trenches, via holes or contact holes, in a dielectric layer are voidlessly filled employing a pulse or forward-reverse pulse electroplating technique to deposit copper or a copper-base alloy. A leveling agent is incorporated in the electroplating co
[ What is claimed is:] [1.] A method of filling an opening in a dielectric layer forming part of an integrated circuit with copper or a copper alloy, the opening having a width and comprising lower and upper ends connected by a sidewall, with lower and upper corners formed at the respective intersec
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