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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0610165 (1996-02-29) |
우선권정보 | JP-0070586 (1995-03-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 5 |
Molten thermoelectric alloy expressed as (Bi, Sb).sub.2 (Te, Se).sub.3 is rapidly cooled at 10.sup.4 to 10.sup.6 .degree. K/second so as to crystallize the thermoelectric alloy, and powder of the thermoelectric alloy is hot pressed under the pressure equal to or greater than 400 kgf/cm.sup.2 at 200
[ What is claimed is:] [1.] A process of manufacturing a thermoelectric element, comprising the steps of:a) preparing a molten thermoelectric alloy containing at least one first element selected from the group consisting of bismuth and antimony and at least one second element selected from the group
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