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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0858139 (1997-05-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 181 인용 특허 : 13 |
A copper diffusion barrier is formed on the side walls of vias connected to copper conductors to prevent copper diffusion into inter-level dielectric. A thin film of copper diffusion barrier material is deposited on the wafer post via etch. A sputter etch is performed to remove barrier material from
[ Having thus described our invention, what we claim as new and desire to secure by Letters Patent is as follows:] [1.] A method of preventing copper poisoning while fabricating an integrated circuit structure, comprising the steps of:etching a via through a dielectric layer to a copper conductor po
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