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[미국특허] Plasma etching electrode 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23F-001/02
  • C23C-016/00
출원번호 US-0883310 (1997-06-26)
우선권정보 JP-0188336 (1996-06-28)
발명자 / 주소
  • Saito Kazuo,JPX
  • Mochizuki Yasushi,JPX
  • Yamaguchi Akira,JPX
출원인 / 주소
  • Nisshinbo Industries, Inc., JPX
대리인 / 주소
    Kubovcik & Kubovcik
인용정보 피인용 횟수 : 20  인용 특허 : 3

초록

With the plasma etching electrode, dust generation is minimized and uniform etching can be realized.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A plasma etching electrode made of single-crystal silicon, which has an electric resistance of 0.0001-40 .OMEGA.cm, whose crystal faces are (100), which is doped with boron or phosphorus, whose surface has been subjected to an etching treatment with an acid, and which has

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. Degner Raymond L. (Los Altos CA) Lenz Eric H. (Palo Alto CA), Composite electrode for plasma processes.
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  2. Lenz Eric H. (San Jose CA) Calvisi Michael L. (Union City CA) Miller Ivo A. (San Jose CA) Frazier Robert A. (Fremont CA), Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof.
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  3. Collins Kenneth S. ; Yang Chan-Lon ; Wong Jerry Yuen-Kui ; Marks Jeffrey ; Keswick Peter R. ; Groechel David W., Plasma reactor and processes using RF inductive coupling and scavenger temperature control.
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이 특허를 인용한 특허 (20)

  1. de la Llera, Anthony; Mankidy, Pratik; Dhindsa, Rajlnder; Kellogg, Michael C.; Bettencourt, Gregory R.; Patrick, Roger, Cam-locked showerhead electrode and assembly.
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  2. Bettencourt, Gregory R.; Bhattacharyya, Gautam; Eng., Simon Gosselin; Chao, Sandy; de la Llera, Anthony; Mankidy, Pratik, Clamped monolithic showerhead electrode.
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  3. Patrick, Roger; Bettencourt, Gregory R.; Kellogg, Michael C., Clamped monolithic showerhead electrode.
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  4. Patrick, Roger; Bettencourt, Gregory R.; Kellogg, Michael C., Clamped monolithic showerhead electrode.
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  5. Patrick, Roger; Bettencourt, Gregory R.; Kellogg, Michael C., Clamped monolithic showerhead electrode.
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  6. Kadkhodayan, Babak; Dhindsa, Rajinder; de la Llera, Anthony; Kellogg, Michael C., Clamped showerhead electrode assembly.
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  7. Kadkhodayan, Babak; Dhindsa, Rajinder; de la Llera, Anthony; Kellogg, Michael C., Clamped showerhead electrode assembly.
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  8. Huang, Lihua Li; Scott, Duane D.; Doench, Joseph P.; Burns, Jamie; Stenta, Emily P.; Bettencourt, Gregory R.; Daugherty, John E., Ductile mode drilling methods for brittle components of plasma processing apparatuses.
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  9. Stumpf, John F.; Dyer, Timothy; Ruberg, David Allen; Huang, Lihua L., Ductile mode machining methods for hard and brittle components of plasma processing apparatuses.
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  10. de la Llera, Anthony; Mankidy, Pratik, Edge-clamped and mechanically fastened inner electrode of showerhead electrode assembly.
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  11. de la Llera, Anthony; Mankidy, Pratik, Edge-clamped and mechanically fastened inner electrode of showerhead electrode assembly.
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  12. Hubacek, Jerome S.; Ellingboe, Albert R.; Benzing, David, Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof.
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  13. Bettencourt, Gregory R.; Bhattacharyya, Gautam; Eng, Simon Gosselin; Chao, Sandy, Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode.
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  14. Bettencourt, Gregory R.; Bhattacharyya, Gautam; Gosselin, Simon; Chao, Sandy, Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode.
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  15. Kadkhodayan, Babak; Dhindsa, Rajinder; de la Llera, Anthony; Kellogg, Michael C., Showerhead electrode.
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  16. de la Llera, Anthony; Mankidy, Pratik; Kellogg, Michael C.; Dhindsa, Rajinder, Showerhead electrode.
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  17. Kadkhodayan, Babak; de la Llera, Anthony, Showerhead electrode with centering feature.
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  18. Fujiwara, Hideki; Ikezawa, Kazuhiro; Taguchi, Hiroaki; Iwamoto, Naofumi; Ishii, Toshinori; Komekyu, Takashi, Silicon electrode plate for plasma etching with superior durability.
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  19. Ren, Daxing; Hubacek, Jerome S.; Webb, Nicholas E., Silicon parts having reduced metallic impurity concentration for plasma reaction chambers.
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  20. Ren, Daxing; Hubacek, Jerome S.; Webb, Nicholas E., Silicon parts having reduced metallic impurity concentration for plasma reaction chambers.
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