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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0883310 (1997-06-26) |
우선권정보 | JP-0188336 (1996-06-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 3 |
With the plasma etching electrode, dust generation is minimized and uniform etching can be realized.
[ What is claimed is:] [1.] A plasma etching electrode made of single-crystal silicon, which has an electric resistance of 0.0001-40 .OMEGA.cm, whose crystal faces are (100), which is doped with boron or phosphorus, whose surface has been subjected to an etching treatment with an acid, and which has
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