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[미국특허] Method of etching metal with increased etching selectivity 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/302
출원번호 US-0733476 (1996-10-18)
우선권정보 TW-85111067 (1996-09-10)
발명자 / 주소
  • Liu Ming-Tsung,TWX
  • Hung Tsung-Yuan,TWX
  • Hsu Bill,TWX
출원인 / 주소
  • United Microelectronics Corp., TWX
대리인 / 주소
    Rabin & Champagne, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 15  인용 특허 : 9

초록 ▼

A method for etching metal which can increase the metal-to-photoresist etching selectivity of a metal layer aimed to be etched with respect to a photoresist layer overlaying the metal layer. The method includes a first step of forming a cap oxide layer over the metal layer; a second step of forming

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A method of etching a metal layer on a semiconductor wafer, comprising:forming a thin cap oxide layer to a thickness not to exceed approximately 300 .ANG. over the metal layer;forming a photoresist layer with a desired pattern over the thin cap oxide layer;implanting ions

이 특허에 인용된 특허 (9) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Tsui Bing-Yue (Hsinchu TWX), Conductive photoresist to mitigate antenna effect.
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  2. Li Li (Meridian ID), Ion-implanted resist removal method.
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  3. Lo Jui-Cheng,TWX, Method for controlling etch bias in plasma etch patterning of integrated circuit layers.
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  4. Nakane Hisashi (Kawasaki JPX) Nakayama Muneo (Tokyo JPX) Hashimoto Akira (Yokohama JPX) Nishimura Toshihiro (Kawasaki JPX), Method for pattern-wise etching of a metallic coating film.
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  5. Fang Leuh (Santa Clara CA), Method for patterning aluminum metallizations.
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  6. Mathuni Josef (Munich DEX) Unger Karin (Munich DEX), Method of structuring with metal oxide masks by reactive ion-beam etching.
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  7. Radigan Steven J. (San Jose CA) Berry Robert L. (San Jose CA), Process for patterning metal connections on a semiconductor structure by using an aluminum oxide etch resistant layer.
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  8. Hashimoto ; Tadahiro ; Okuyama ; Yasushi ; Koguchi ; Toshio ; Wada ; Koj i ; Sakamoto ; Mitsuru ; Yanagawa ; Takayuki ; Yamamoto ; Kyoji, Process for preparing a mask for use in manufacturing a semiconductor devic e.
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  9. Srodes G. Scot (Mesa AZ) Goodner Willis R. (Chandler AZ) Freeman ; Jr. John L. (Mesa AZ) Nagy Andrew G. (Phoenix AZ), Residue-free plasma etch of high temperature AlCu.
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이 특허를 인용한 특허 (15) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Fisher, Philip A.; Yang, Chih-Yuh; Plat, Marina V.; Callahan, Russell R.A.; Khathuria, Ashok M., Enhanced transistor gate using E-beam radiation.
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  2. Omar Vassalli IT; Simone Alba IT, Method for enhancing selectivity between a film of a light-sensitive material and a layer to be etched in electronic semiconductor device fabrication processes.
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  3. Torek Kevin J., Method of making an oxide structure having a finely calibrated thickness.
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  4. Kevin J. Torek, Oxide structure having a finely calibrated thickness.
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  5. Shields, Jeffrey A.; Okoroanyanwu, Uzodinma; Yang, Chih-Yuh, Process for forming sub-lithographic photoresist features by modification of the photoresist surface.
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  6. Gabriel, Calvin T.; Okoroanyanwu, Uzodinma, Process for improving the etch stability of ultra-thin photoresist.
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  7. Okoroanyanwu, Uzodinma; Shields, Jeffrey A.; Yang, Chih-Yuh, Process for preventing deformation of patterned photoresist features.
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  8. Okoroanyanwu, Uzodinma; Yang, Chih-Yuh; Shields, Jeffrey A., Process for reducing the critical dimensions of integrated circuit device features.
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  9. Gopisetty Runip ; Dogra Neeraj, Reduction of process antenna effects in integrated circuits.
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  10. Okoroanyanwu, Uzodinma; Singh, Bhanwar; Acheta, Alden, SEM inspection and analysis of patterned photoresist features.
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  11. Gabriel, Calvin T.; Levinson, Harry J.; Okoroanyanwu, Uzodinma, Selective photoresist hardening to facilitate lateral trimming.
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  12. Eickelmann, Hans-Juergen; Haag, Michael; Kellmann, Ruediger; Schmidt, Markus; Windeln, Johannes, Solar cell with reduced absorber thickness and reduced back surface recombination.
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  13. Eickelmann, Hans-Juergen; Haag, Michael; Kellmann, Ruediger; Schmidt, Markus; Windeln, Johannes, Solar cell with reduced absorber thickness and reduced back surface recombination.
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  14. Eickelmann, Hans-Juergen; Haag, Michael; Kellmann, Ruediger; Schmidt, Markus; Windeln, Johannes, Solar cell with reduced absorber thickness and reduced back surface recombination.
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  15. Eickelmann, Hans-Juergen; Haag, Michael; Kellmann, Ruediger; Schmidt, Markus; Windeln, Johannes, Solar cell with reduced absorber thickness and reduced back surface recombination.
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